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申请/专利权人：英特尔公司
摘要：本文公开了带棱锥形沟道结构的具有用于桶状栅极的均匀栅格金属栅极和沟槽接触插塞的集成电路结构。描述了带有棱锥形沟道结构的具有均匀栅格金属栅极和沟槽接触切口的集成电路结构。例如，集成电路结构包括水平纳米线的竖直堆叠体，该水平纳米线的竖直堆叠体具有带有棱锥角的棱锥形轮廓。栅极电极位于水平纳米线的竖直堆叠体之上。导电沟槽接触部与栅极电极相邻。电介质侧壁间隔体位于栅极电极与导电沟槽接触部之间。电介质切口插塞结构延伸穿过栅极电极，穿过电介质侧壁间隔体，并且穿过导电沟槽接触部。电介质切口插塞结构具有内凹轮廓，该内凹轮廓具有与水平纳米线的竖直堆叠体的棱锥形轮廓的棱锥角横向间隔开的切口角。
主权项：1.一种集成电路结构，包括：水平纳米线的竖直堆叠体，所述水平纳米线的竖直堆叠体具有带有棱锥角的棱锥形轮廓；栅极电极，所述栅极电极位于所述水平纳米线的竖直堆叠体之上；导电沟槽接触部，所述导电沟槽接触部与所述栅极电极相邻；电介质侧壁间隔体，所述电介质侧壁间隔体位于所述栅极电极与所述导电沟槽接触部之间；以及电介质切口插塞结构，所述电介质切口插塞结构延伸穿过所述栅极电极，穿过所述电介质侧壁间隔体，并且穿过所述导电沟槽接触部，所述电介质切口插塞结构具有内凹轮廓，所述内凹轮廓具有与所述水平纳米线的竖直堆叠体的所述棱锥形轮廓的所述棱锥角横向间隔开的切口角。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英特尔公司 带棱锥形沟道结构的具有用于桶状栅极的均匀栅格金属栅极和沟槽接触插塞的集成电路结构
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