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申请/专利权人：三星电机株式会社
摘要：本公开提供一种半导体器件和包括该半导体器件的功率放大器。所述半导体器件包括：多个单元晶体管，所述多个单元晶体管中的每个单元晶体管设置在半导体基板上并且包括发射极、配置为输出输出信号的集电极和配置为接收输入信号的基极；以及将所述多个单元晶体管的所述发射极互连的发射结布线。在所述半导体基板的厚度方向上，所述发射结布线的位于所述多个单元晶体管中的彼此相邻的两个单元晶体管之间的部分和所述发射结布线的位于所述两个单元晶体管外部的另一部分具有不同的厚度。
主权项：1.一种半导体器件，包括：多个单元晶体管，所述多个单元晶体管中的每个单元晶体管设置在半导体基板上，并且包括发射极、配置为输出输出信号的集电极和配置为接收输入信号的基极；以及发射结布线，将所述多个单元晶体管的所述发射极互连，其中，在所述半导体基板的厚度方向上，所述发射结布线的位于所述多个单元晶体管中的彼此相邻的两个单元晶体管之间的部分和所述发射结布线的位于所述两个单元晶体管外部的另一部分具有不同的厚度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电机株式会社 半导体器件和包括该半导体器件的功率放大器
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