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申请/专利权人：三星电机株式会社
摘要：本公开提供了一种半导体器件和包括该半导体器件的功率放大器。所述半导体器件包括多个单元晶体管，所述多个单元晶体管中的每个单元晶体管设置在半导体基板上，并且包括配置为输出输出信号的集电极、配置为接收输入信号的基极、发射极、构造为使所述多个单元晶体管的所述发射极互连的发射结布线以及设置为与所述发射结布线形成界面并且设置为与所述发射结布线接触的金属柱，并且所述金属柱包括多个狭缝，所述多个狭缝中的每个狭缝形成腔。
主权项：1.一种半导体器件，包括：多个单元晶体管，所述多个单元晶体管中的每个单元晶体管设置在半导体基板上，所述多个单元晶体管中的每个单元晶体管包括：集电极，配置为输出输出信号；基极，配置为接收输入信号；发射极；发射结布线，构造为使所述多个单元晶体管的所述发射极互连；以及金属柱，设置为与所述发射结布线形成界面，并且设置为与所述发射结布线接触，其中，所述金属柱包括多个狭缝，所述多个狭缝中的每个狭缝包括腔。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电机株式会社 半导体器件和包括该半导体器件的功率放大器
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