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申请/专利权人：镓能国际有限公司
摘要：本发明提供一种封装半导体器件，涉及横向功率电子器件封装技术领域领域。本发明介绍了几种使用半绝缘材料封装横向高压氮化镓器件的方法，以改善横向高压GaNFET的动态性能和可靠性。
主权项：1.一种封装半导体器件，其特征在于，包括：硅上生长的氮化镓横向半导体功率器件芯片；半绝缘胶层，用于将氮化镓横向半导体功率器件芯片粘附到封装器件的底部金属背板上，所述半绝缘胶层的垂直传导的电阻为1e5至1e9欧姆厘米^2。底部金属背板，与氮化镓横向半导体功率器件芯片的源电极通过键合线电连接。
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