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一种用于降低3D NAND晶圆翘曲的方法 

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申请/专利权人:武汉大学

摘要:本发明涉及半导体器件技术领域,尤其涉及一种用于降低3DNAND晶圆翘曲的方法,本发明首先使用有限元仿真软件建立3DNAND晶圆等效模型以获取晶圆热分布和晶圆翘曲分布概况,并使用晶圆翘曲测量装置量测了晶圆翘曲分布以验证有限元等效模型的准确性。随后基于有限元等效模型计算所得的晶圆翘曲分布情况,对共源线进行工艺改善,在晶圆背部进行针对性图形化蚀刻。本发明能够在3DNAND器件制作完成之前获取晶圆的翘曲分布,促使在制作过程中能够通过共源线改善工艺。共源线和晶圆背部都处于3DNAND核心器件区之外,这使得晶圆翘曲优化工艺对3DNAND核心存储功能的损伤降至最小。

主权项:1.一种用于降低3DNAND晶圆翘曲的方法,其特征在于:包括以下步骤:S1、建立有限元等效仿真模型:根据3DNAND晶圆的结构和工艺参数建立有限元等效仿真模型,并根据实际参数在仿真模型上进行模拟,获得晶圆的翘曲分布;S2、实验验证有限元等效仿真模型:通过测量实际3DNAND晶圆的翘曲分布,并与仿真模型的计算结果进行比对,验证和优化所建立的有限元等效仿真模型;S3、共源线工艺调整晶圆翘曲:根据优化后的有限元等效仿真模型,通过在晶圆共源线的多晶硅中掺杂其他元素来调整多晶硅的应力值,得到调整后的有限元等效仿真模型;S4、图形化蚀刻调整晶圆翘曲:根据调整后的有限元等效仿真模型,在晶圆背面刻蚀出特定图形的沟槽,并填充绝缘材料,通过图形化蚀刻引入额外的应力分布,进一步调整晶圆翘曲分布。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 武汉大学 一种用于降低3D NAND晶圆翘曲的方法

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