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申请/专利权人：北京科技大学
摘要：本申请公开了一种镍基非晶态高熵硼磷化物电极及其制备方法。其中，制备方法包括：对基底泡沫镍进行刻蚀处理，获得具有若干凹坑的泡沫镍，该泡沫镍的外表面包括凹坑外表面和普通外表面；根据氯化铵‑氨水溶液、高熵金属盐制备高熵前驱体溶液；根据第一还原剂、第二还原剂、碱性溶液获得还原溶液；将泡沫镍加到高熵前驱体溶液中，处理获得包含固体的混合溶液，将还原溶液加到该混合溶液中，处理后在室温中静置，获得包含附着于泡沫镍外表面的非晶态高熵硼磷化物的镍基非晶态高熵硼磷化物电极；非晶态高熵硼磷化物在凹坑外表面的附着力大于在普通外表面的附着力。该方法制备的电极，为自支撑式原位一体生长，稳定性强、耐久性好，成本低、操作简单。
主权项：1.一种镍基非晶态高熵硼磷化物电极，其特征在于，包括：泡沫镍，所述泡沫镍具有若干凹坑，所述泡沫镍的外表面包括凹坑外表面和普通外表面；附着于所述凹坑外表面和所述普通外表面的非晶态高熵硼磷化物；所述非晶态高熵硼磷化物由若干非晶纳米球相互堆积形成；所述非晶态高熵硼磷化物在所述凹坑外表面的附着力大于在所述普通外表面的附着力。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京科技大学 镍基非晶态高熵硼磷化物电极及其制备方法
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