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申请/专利权人：北京清芯微储能科技有限公司
摘要：本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种集成条形沟槽源极控制续流通道平面SiCVDMOSFET结构，包括若干个相互并联的MOS元胞结构，所述MOS元胞结构包括衬底层、扩散层、条形源极、P阱层以及掺杂N阱区；单个所述MOS元胞结构的左右两侧均嵌设有条形源极；所述MOS元胞结构的下层表面的中间区域蚀刻有腔槽，所述腔槽的内部沉积有轻掺杂P阱，其中轻掺杂P阱与腔槽内壁之间填充有隔绝层，所述轻掺杂P阱与漏极欧姆短接。本发明通过将轻掺杂P阱引入衬底层，并且部分漏极金属通过挖槽填充穿过并与P阱接触，这样在反向恢复电流下降阶段中由于存在有空穴的注入，使得衬底层空穴的下降速度减慢，反向恢复电流得以平滑衰减，从而降低反向恢复的速率。
主权项：1.一种集成条形沟槽源极控制续流通道平面SiCVDMOSFET结构，其特征在于，包括若干个相互并联的MOS元胞结构，所述MOS元胞结构包括衬底层2、扩散层3、条形源极6、P阱层以及掺杂N阱区11；单个所述MOS元胞结构的左右两侧均嵌设有条形源极6；所述MOS元胞结构的下层表面的中间区域蚀刻有腔槽，所述腔槽的内部沉积有轻掺杂P阱12，其中轻掺杂P阱12与腔槽内壁之间填充有隔绝层13，所述轻掺杂P阱12与漏极1欧姆短接；所述MOS元胞结构的下层表面沉积有漏极1，并且MOS元胞结构的上层嵌设有金属源极4，所述金属源极4与N阱层、条形源极6欧姆短接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京清芯微储能科技有限公司 一种集成条形沟槽源极控制续流通道平面SiC VDMOSFET结构
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