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申请/专利权人：成都路维光电有限公司
摘要：本发明公开了一种边缘型MoSi相移掩膜版及其制备方法，涉及显示技术领域。一种边缘型MoSi相移掩膜版，包括衬底，用于提供承载；第一掩膜层，覆盖在衬底上，用于保护衬底，第一掩膜层开设有第一开口；第二掩膜层，覆盖在第一掩膜层，用于对第一掩膜层遮光，第一掩膜层在第一开口对应位置开设有第二开口，第二开口边缘长度大于第一开口边缘长度。本发明提供的边缘型MoSi相移掩膜版的套合精度高，线宽小，可以确保在光刻过程中与之前的层完美对齐，减少图案错位和缺陷的产生，有助于提高产品的良率，降低废品率，从而增强整体生产的经济效益，还有助于实现更高的集成度和更优异的性能，使集成电路具有更高的可靠性。
主权项：1.一种边缘型MoSi相移掩膜版，其特征在于，包括衬底，用于提供承载；第一掩膜层，覆盖在所述衬底上，用于保护所述衬底，所述第一掩膜层开设有第一开口；第二掩膜层，覆盖在所述第一掩膜层，用于对第一掩膜层遮光，所述第一掩膜层在第一开口对应位置开设有第二开口，所述第二开口边缘长度大于所述第一开口边缘长度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 成都路维光电有限公司 一种边缘型MoSi相移掩膜版及其制备方法
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