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申请/专利权人：高通股份有限公司
摘要：公开了具有双侧接触件的设备的晶体管，在该晶体管中至少漏极接触件在栅极的相对侧上。以这种方式，可减小栅极电阻而不增加栅极与漏极之间的寄生电容。
主权项：1.一种晶体管，所述晶体管包括：硅Si层，所述硅Si层包括源极区、漏极区和在所述源极区与所述漏极区之间的沟道区；在所述Si层的第一侧上的所述沟道区上的栅极氧化物；在所述栅极氧化物上的栅极；与所述源极区电耦合的源极接触件；和在与所述Si层的所述第一侧相对的所述Si层的第二侧上的漏极接触件，所述漏极接触件与所述漏极区电耦合，其中第一栅极长度短于第二栅极长度，所述第一栅极长度是所述栅极更靠近所述栅极氧化物的部分的长度，并且所述第二栅极长度是所述栅极更远离所述栅极氧化物的部分的长度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 高通股份有限公司 具有双侧接触件的高性能设备
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