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申请/专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
摘要：本发明提出一种校准电路以及一种参考负载，所述参考负载包含一电阻负载与一晶体管负载的一并联结构，该电阻负载包含一电阻，该晶体管负载包含多个晶体管，其中该电阻负载的一温度系数为正，该晶体管负载的一温度系数为负。
主权项：1.一种校准电路，包含：一电阻负载，包含一可调电阻受控于一控制信号，用来接收一第一电流并据以建立一第一电压；一晶体管负载，包含多个晶体管，用来接收一第二电流并据以建立一第二电压，其中该晶体管负载包含一第一PMOS晶体管、一第一NMOS晶体管、一第二PMOS晶体管以及一第二NMOS晶体管，其中：该第一PMOS晶体管的一源极、一栅极与一漏极分别连接至一第一节点、一第二节点与一第三节点；该第一NMOS晶体管的一源极、一栅极与一漏极分别连接至一第四节点、该第三节点与该第二节点；该第二PMOS晶体管的一源极、一栅极与一漏极分别连接至该第三节点、该第四节点与该第二节点；以及该第二NMOS晶体管的一源极、一栅极与一漏极分别连接至该第二节点、该第一节点与该第三节点；一比较器，用来依据该第一电压与该第二电压之间的一比较结果输出一逻辑信号；以及一有限状态机，用来接收该逻辑信号并输出该控制信号。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 瑞昱半导体股份有限公司 工艺与温度追踪参考负载及其方法
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