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完全多平面操作启用 

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申请/专利权人:美光科技公司

摘要:本申请涉及完全多平面操作启用。闪存控制器可以确定存储器管芯的平面集合中的第一平面是无效平面。所述闪存控制器可以发布与用于所述存储器管芯的所述平面集合的多平面操作相关联的单个描述符。所述单个描述符可以包含用于所述多平面操作的多个命令,其中基于所述第一平面是所述无效平面,所述多个命令中的第一命令可以是所述多个命令中的第二命令的副本。在一些情况下,与非NAND控制器可以接收与用于所述存储器管芯的所述平面集合的所述多平面操作相关联的所述单个描述符。所述NAND控制器可以基于接收所述单个描述符来发布用于所述多平面操作的多个命令。

主权项:1.一种方法,包括:确定存储器管芯的平面集合中的第一平面是无效平面;以及至少部分地基于所述确定来发布与用于所述存储器管芯的所述平面集合的多平面操作相关联的单个描述符,其中所述单个描述符包括用于所述多平面操作的命令序列,并且其中至少部分地基于所述第一平面是所述无效平面,所述命令序列中的第一命令是所述命令序列中的第二命令的副本,所述第二命令用于所述平面集合中的第二平面。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 美光科技公司 完全多平面操作启用

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