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申请/专利权人：湖北科技学院

摘要：本发明提供了一种基于光学分形的多信道非周期光子晶体结构，属于多信道光子滤波器技术领域。所述多信道非周期光子晶体结构包括两个对称分布的Thue‑Morse序列，Thue‑Morse序列SN的迭代规则为：S1＝A，N＝1；S2＝AB，N＝2；SN＝SN‑1A→AB，B→BA，N≥3，其中SN‑1中的A→AB表示A由AB代替，B→BA表示B由BA代替，N表示序列的序号，SN表示序列的第N项；A为第一电介质层；B为第二电介质层；第一电介质层和第二电介质层为两种折射率不等的均匀电介质薄片。本发明将宇称‑时间对称性和Thue‑Morse序列光子晶体结合，来实现多信道、可调谐光子滤波器。

主权项：1.一种基于光学分形的多信道非周期光子晶体结构，其特征在于，所述多信道非周期光子晶体结构包括两个呈宇称-时间对称分布的Thue-Morse序列，所述Thue-Morse序列SN的迭代规则为：S1＝A，N＝1；S2＝AB，N＝2；SN＝SN-1A→AB，B→BA，N≥3，其中SN-1中的A→AB表示A由AB代替，B→BA表示B由BA代替，N表示序列的序号，SN表示序列的第N项；A为第一电介质层；B为第二电介质层；第一电介质层和第二电介质层为两种折射率不等的均匀电介质薄片；位于多信道非周期光子晶体结构对称中心靠近入射方向一侧的第一电介质层称之为第一损耗电介质层，通光状态下的折射率表示为na；位于多信道非周期光子晶体结构对称中心靠近出射方向一侧的第一电介质层称之为第一增益电介质层，通光状态下的折射率表示为na'；位于多信道非周期光子晶体结构对称中心靠近入射方向一侧的第二电介质层称之为第二增益电介质层，通光状态下的折射率表示为nb；位于多信道非周期光子晶体结构对称中心靠近出射方向一侧的第二电介质层称之为第二损耗电介质层B'，通光状态下的折射率表示为nb'；na＝nA+0.01qi，na'＝nA-0.01qi，nb＝nB-0.01qi，nb'＝nB+0.01qi，其中i为虚数单位，q为增益-损耗因子，nA为第一电介质层折射率的实部，nB为第二电介质层折射率的实部；第一电介质层和第二电介质层的厚度均为各自折射率对应的14光学波长；入射光为横磁波，从多信道非周期光子晶体结构的入射侧垂直入射；所述第一电介质层为二氧化硅。

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