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申请/专利权人：重庆涛科电气研究院有限公司
摘要：本发明涉及一种压接型分立式SiCMOSFET器件封装结构，属于半导体封装技术领域。该结构包括U型栅极顶针，实现压接型SiCMOSFET器件栅极良好的电气连接；还包括垂直换流路径的压接封装结构，具体包括漏极铜板、上钼层、SiCMOSFET芯片、下钼层和源极铜板，用于降低现有焊接封装的分立式SiCMOSFET器件的寄生电感，提升高频工况下SiCMOSFET器件的开关性能。本发明能够降低分立式SiCMOSFET器件封装寄生电感，从而提升其开关性能；另外，本发明结构具有小体积、可重复利用的优点，降低了压接封装器件成本。
主权项：1.一种压接型分立式SiCMOSFET器件封装结构，其特征在于，包括U型栅极顶针12和栅极PCB11，以及从上至下垂直放置的漏极铜板2、上钼层4、SiCMOSFET芯片5、下钼层6和源极铜板9；所述SiCMOSFET芯片5的漏极和源极分别通过上钼层4和下钼层6与漏极铜板2和源极铜板9电气连接；所述SiCMOSFET芯片5的栅极通过U型栅极顶针12与栅极PCB11顶层相连，栅极PCB11顶层和底层保持绝缘，并嵌入源极铜板9中。
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权利要求：
百度查询： 重庆涛科电气研究院有限公司 一种压接型分立式SiC MOSFET器件封装结构
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