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申请/专利权人：高级加速器应用公司
摘要：中子活化器、包含该中子活化器的中子活化系统以及实施该中子活化器的中子活化方法。一种中子活化器10，其包含中子源11和第一反射器‑慢化器35，中子源包含壳体12、金属靶材20、冷却回路，所述壳体沿着纵向轴线B延伸，所述金属靶材配置为通过与质子射束5的相互作用来产生中子，该靶材20包含相对于纵向轴线B横向布置的至少一个板21，所述冷却回路被配置用于冷却金属靶材20，所述第一反射器‑慢化器包括被配置用于容纳中子源11和待活化材料的活化区域36。
主权项：1.一种用于材料的中子活化的中子活化器10，所述中子活化器10被配置为通过与沿着射束轴线A发射的质子射束5的相互作用而产生中子，所述质子射束5的能量为16MeV至30MeV，且质子强度高于1mA且至高1.5mA，所述中子活化器10包含：-中子源11、11'，其包含：壳体12、12'，所述壳体沿着纵向轴线B、B'延伸，所述纵向轴线旨在平行于所述射束轴线A来布置，所述壳体12、12'具有开口14、14'，所述质子射束5能够通过所述开口进入到中子源11、11'中，以及金属靶材20、20'，所述金属靶材被配置为通过与质子射束5的相互作用来产生中子，所述金属靶材20、20'包含至少一个板21、21'，所述至少一个板相对于纵向轴线B，B'垂直地布置，所述板21、21'具有指向所述壳体12、12'的开口14、14'的上游表面21a和与所述上游表面21a相反的下游表面21b，并且其中所述金属靶材20的所述至少一个板21是弯曲的，所述上游表面21a为凸形并且所述下游表面21b为凹形，冷却回路25，所述冷却回路被配置为冷却所述金属靶材20、20'，-第一反射器-慢化器35，所述反射器-慢化器包括活化区域36，所述活化区域被配置为容纳所述中子源11、11'和待活化材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 高级加速器应用公司 中子活化器、包含该中子活化器的中子活化系统以及实施该中子活化器的中子活化方法
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