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申请/专利权人：默克专利有限公司

摘要：本发明涉及一种使用式I：R1‑A1‑Z1r‑B1n‑Z2‑A2s‑Sp‑GI的化合物生产包含自组装单层SAM的电子部件的方法，其中出现的基团具有权利要求1中规定的含义；本发明还涉及所述部件在电子切换元件中的用途以及涉及用于生产SAM的化合物。

主权项：1.生产包含自组装单层的电子部件的方法，其包括下列步骤：1提供具有基底表面的基底，2将包含一种或多种式I的化合物的溶液施加到基底表面，3将基底加热到60℃至300℃的温度，其中式I如下定义：R1-A1-Z1r-B1n-Z2-A2s-Sp-GI其中R1是指H、具有1至15个C原子的烷基或烷氧基，其中，此外，这些基团中的一个或多个CH2基团可各自互相独立地被-C≡C-、-CH＝CH-、-O-、-S-、-CF2O-、-OCF2-、-CO-O-、-O-CO-、-SiR0R00-、-NH-、-NR0-或-SO2-以O原子没有直接互相连接的方式替代，并且其中，此外，一个或多个H原子可被卤素、CN、SCN或SF5替代，R0、R00是指，相同或不同地，具有1至15个C原子的烷基或烷氧基，其中，此外，一个或多个H原子可被卤素替代，A1、A2在每次出现时相同或不同地表示具有4至25个环原子的芳族、杂芳族、脂环族或杂脂族环，其也可含有稠环并且其可被Y单取代或多取代，Y在每次出现时相同或不同地表示F、Cl、CN、SCN、SF5或直链或支化的、在每种情况下任选氟化的、具有1至12个C原子的烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰氧基或烷氧基羰氧基，B1是指 其中这些基团可朝两个方向取向，L1至L5互相独立地表示F、Cl、Br、I、CN、SF5、CF3或OCF3，其中L3也可替代性地表示H，Z1、Z2在每次出现时相同或不同地表示单键、-CF2O-、-OCF2-、-CF2S-、-SCF2-、-CH2O-、-OCH2-、-COO-、-OCO-、-COS-、-SCO-、-CH2-、-CH22-、-CH23-、-CH24-、-CF2-、-CF2-CF2-、-CF2-CH2-、-CH2-CF2-、-CH＝CH-、-CF＝CF-、-CF＝CH-、-CH＝CF-、-CH23O-、-OCH23-、-C≡C-、-O-、-S-、-C＝N-、-N＝C-、-N＝N-、-N＝NO-、-NO＝N-或-N＝C-C＝N-，Sp是指间隔基团或单键，G是指-SO2ORV、-OPOORV2、-POORV2、-COHPOORV22或-COORV，RV是指具有3至20个C原子的仲或叔烷基，r和s互相独立地表示0、1、2或3，其中r+s≤4，且n是1。

全文数据：

权利要求：

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