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申请/专利权人：通快光电器件有限公司
摘要：本发明涉及垂直腔面发射激光器VCSEL装置10。该VCSEL装置10包括光学谐振器18、光电二极管34和电接触布置结构36，38，40。该光学谐振器18包括第一分布式布拉格反射器12、第二分布式布拉格反射器16和用于光发射的有源区14。该有源区14布置在该第一分布式布拉格反射器12与该第二分布式布拉格反射器16之间。该光电二极管34包括光吸收区20。该电接触布置结构36、38、40布置成能够提供驱动电流以对该光学谐振器18电泵浦，并且电接触该光电二极管34。该有源区14包括至少一个InxGa1‑xAs层，其中，0≤x1，该光吸收区20包括至少一个InyGa1‑yAs层，其中，0y1，其中，y大于x。
主权项：1.一种垂直腔面发射激光器装置，所述垂直腔面发射激光器装置包括光学谐振器18、光电二极管34和电接触布置结构36，38，40，所述光学谐振器18包括第一分布式布拉格反射器12、第二分布式布拉格反射器16和用于光发射的有源区14，其中，所述有源区14布置在第一分布式布拉格反射器12与第二分布式布拉格反射器16之间，其中，所述光电二极管34包括布置在所述光学谐振器18中的光吸收区20，所述电接触布置结构36，38，40布置成能够提供驱动电流以对所述光学谐振器18电泵浦，并且电接触所述光电二极管34，其中，所述有源区14包括至少一个InxGa1-xAs层，其中，0≤x1，所述光吸收区20包括至少一个InyGa1-yAs层，其中，0y1，其中，y大于x，其中，所述光吸收区20的InyGa1-yAs层是所述光吸收区20的本征层，其中，所述光吸收区20的所述至少一个InyGa1-yAs层的厚度在15nm-50nm的范围内，其中，所述光电二极管34的所述光吸收区20包括基于与InyGa1-yAs层不同的材料的至少一个未掺杂的另外的层，其中，InyGa1-yAs层紧邻所述另外的层，所述至少一个未掺杂的另外的层包括GaAszP1-z，其中0z1，并且其中，所述光吸收区20的本征区域的总厚度为至少70nm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 通快光电器件有限公司 具有单片集成的光电二极管的垂直腔面发射激光器装置
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