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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本发明提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构，涉及半导体技术领域，该制备方法包括提供具有沟槽结构的基底；于沟槽结构的两侧分别形成源极区和漏极区；形成氧化层，氧化层包括覆盖沟槽结构的侧壁的第一氧化层和覆盖沟槽结构的底壁的第二氧化层，第二氧化层的厚度小于第一氧化层的厚度；对氧化层进行氮化处理，使第一氧化层中的氮离子的浓度小于第二氧化层中的氮离子的浓度。本发明通过使第一氧化层的厚度大于第二氧化层的厚度，第一氧化层中的氮离子的浓度小于第二氧化层中的氮离子的浓度，使得第一氧化层的介电常数小于第二氧化层的介电常数。这样既可以降低栅诱导漏极泄漏电流，也可以提高半导体结构的开启电流灵敏度。
主权项：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括间隔分布的沟槽结构；于所述沟槽结构的两侧分别形成源极区和漏极区；形成氧化层，所述氧化层包括第一氧化层和第二氧化层；其中，所述第一氧化层覆盖所述沟槽结构的侧壁，所述第二氧化层覆盖所述沟槽结构的底壁且所述第二氧化层的厚度小于所述第一氧化层的厚度；对所述氧化层进行氮化处理，以使所述第一氧化层中的氮离子的浓度小于所述第二氧化层中的氮离子的浓度；于所述沟槽结构内形成栅极结构；所述第一氧化层中的氮离子的浓度与所述第二氧化层中氮离子浓度之比位于0.1-0.5之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构的制备方法及半导体结构
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