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一种提高通道内3D NAND FLASH并行度的方法及系统 

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申请/专利权人:山东华芯半导体有限公司

摘要:本发明根据3DNANDFLASH的读写特性,在一条写命令和写数据中穿插入其他FLASH的命令,降低通道的读延迟,提高读写擦并行度。为了保证写性能和读性能的平衡,设计了一套根据新命令、读命令反馈和定时器触发的判断流程,依据该流程在一条写命令的lowerpage和middlepage的busy时间段内,插入其他NANDFLASH的读擦命令、读擦数据的同时,不会牺牲太多的写性能。可根据用户需求,实时调节写延迟,换取低读延迟,并提高同一通道内NANDFLASH并行度。

主权项:1.一种提高通道内3DNANDFLASH并行度的方法,其特征在于:本方法不仅在一条写命令的upperpage的写busy时间内插入其他NANDFLASH的读擦命令、读擦数据,还在该条写命令的lowerpage和middlepage的busy时间段内,插入其他NANDFLASH的读擦命令、读擦数据;在一条写命令内同时插入其他NANDFLASH的读擦命令或读擦数据的执行流程为:S01)、等待新命令或读擦命令有反馈或定时器到时;S02)、判断定时器是否到时,如果是,执行步骤S03),如果不是,执行步骤S04);S03)、向下发送一页写命令和数据,如果是lowerpage或middlepage写,则同时打开计时器,拉起写执行标志位,如果是upperpage写,则拉低写执行标志位;S04)、判断条件1是否成立,条件1为条件2或条件3,条件2为当前写正在执行且允许插入读数据且读擦命令有反馈,条件3为当前没有写正在执行却有读擦反馈,条件1如果成立,执行步骤S05),条件1如果不成立,执行步骤S06);S05)、向下发送读擦数据,然后转到步骤S01);S06)、判断是否有新命令,如果是,执行步骤S07),如果不是,执行步骤S08);S07)、如果是新的读擦命令,向下发送读擦命令同时挂起读数据任务,然后转到步骤S01);S08)、判断当前是否有其他FLASH正在执行写,如果是,转到步骤S01),如果不是,执行步骤S09);S09)、判断写命令是否不允许插入其他命令,如果是,则向下发送连续三页写命令以及数据,如果不是,则转到步骤S03)。

全文数据:

权利要求:

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