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申请/专利权人：重庆长安汽车股份有限公司
摘要：本发明公开了一种封装芯片失效分析样品的制备方法，其包括如下步骤：步骤一，提供待分析封装芯片；步骤二，采用丙酮浸泡待分析封装芯片，拆除散热盖并擦除晶粒表面的散热胶；步骤三，将多块第一硅片粘接在基板临近晶粒的位置；步骤四，在晶粒顶面粘接固定盖玻片；步骤五，进行混合胶冷埋镶嵌，使得待分析封装芯片固化在透明环氧树脂内部；步骤六，研磨基板底面，使得基板减薄以接近晶粒，并将第二硅片粘接在基板底面；步骤七，沿晶粒侧面研磨第一硅片至待观察的芯片位置，得到封装芯片失效分析样品。其能够避免截面研磨过程中因外部应力的引入导致的芯片结构破坏，提高制样成功率并保持晶粒的原有状态，保障了后续截面形貌观察的效果。
主权项：1.一种封装芯片失效分析样品的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一，提供待分析封装芯片，所述待分析封装芯片包括基板、固定于所述基板上的晶粒以及通过散热胶盖设于所述晶粒上的散热盖；步骤二，采用丙酮浸泡待分析封装芯片，待散热胶软化后，拆除散热盖并擦除晶粒表面的散热胶；步骤三，将四块裁切至预设尺寸的第一硅片粘接在基板临近晶粒的位置，所述第一硅片通过双组份丙烯酸酯结构胶粘剂与基板粘接固定，四个第一硅片内侧面分别与晶粒的四周接触贴合，所述四块第一硅片合围形成容置晶粒的腔室且该腔室内侧面与晶粒侧面接触，所述第一硅片顶面与晶粒顶面齐平；步骤四，在晶粒顶面粘接固定盖玻片，所述盖玻片覆盖晶粒顶面；步骤五，进行混合胶冷埋镶嵌，使得待分析封装芯片固化在透明环氧树脂内部；步骤六，研磨基板底面至L2金属层停止，使得基板减薄以接近晶粒，并将裁切至预设尺寸的第二硅片粘接在基板底面，所述第二硅片均通过双组份丙烯酸酯结构胶粘剂与基板粘接固定；步骤七，沿晶粒侧面研磨第一硅片至待观察的芯片位置，先从侧面对基板和第二硅片进行初步研磨，直至研磨截面接近晶粒四周的第一硅片；然后进行二次研磨，直至研磨截面接近晶粒边缘；最后沿晶粒侧面最终研磨第一硅片至待观察的芯片位置；通过绒布抛光进行截面修正，得到封装芯片失效分析样品。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 重庆长安汽车股份有限公司 一种封装芯片失效分析样品的制备方法
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