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一种通过二次碳纳米管互联的热界面材料及其制备方法 

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申请/专利权人:华中科技大学

摘要:本发明公开了一种通过二次碳纳米管互联的热界面材料及其制备方法,属于热界面材料领域,方法包括:S1、在垂直碳纳米管阵列内部沉积金属氧化物纳米颗粒;S2、对所述金属氧化物纳米颗粒进行还原,形成金属催化剂纳米颗粒;S3、将所述金属催化剂纳米颗粒作为二次碳纳米管的生长位点,在所述垂直碳纳米管阵列内部生长二次碳纳米管。本发明将二次碳纳米管作为填充材料,能够实现二次碳纳米管的深度填充以及与垂直碳纳米管的共价键连接,减小与垂直碳纳米管间的接触热阻,进而提升垂直碳纳米管阵列的热传输性能,并且维持阵列的低热膨胀系数,保持其热机械稳定性,充分提高垂直碳纳米管阵列在热界面材料领域的应用。

主权项:1.一种通过二次碳纳米管互联的热界面材料制备方法,其特征在于,包括:S1、在垂直碳纳米管阵列内部沉积金属氧化物纳米颗粒;S2、对所述金属氧化物纳米颗粒进行还原,形成金属催化剂纳米颗粒;S3、将所述金属催化剂纳米颗粒作为二次碳纳米管的生长位点,在所述垂直碳纳米管阵列内部生长二次碳纳米管;S1中,采用原子层沉积在垂直碳纳米管阵列内部沉积金属氧化物纳米颗粒;S1中,所述垂直碳纳米管阵列的高度为10μm-50μm;S1中,沉积次数为400次-1000次;还包括对所述金属催化剂纳米颗粒进行预生长处理,处理时间为1-3min。

全文数据:

权利要求:

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