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申请/专利权人：高澈科技(上海)有限公司;深圳高铂科技有限公司

摘要：本发明实施例涉及电路领域，公开了一种运用于DLL的时钟占空比自动控制电路。本发明中，一种延迟锁定回路包括：延迟时间产生电路，以及与延迟时间产生电路连接的占空比控制电路；延迟时间产生电路用于根据输入的参考时钟信号输出延迟后的参考时钟信号；占空比控制电路的输入端用于接收延迟时间产生电路输出的延迟后的参考时钟信号，输出端用于向延迟时间产生电路反馈占空比控制信号；占空比控制电路包括：滤波电路和比较电路；所述滤波电路用于得到延迟后的参考时钟信号的直流电压。通过将延迟锁定回路中产生的延迟信号的直流部分电压与一半的电源电压比较，并根据比较结果调整延迟信号的占空比，自动的实现了控制延迟信号的占空比为50％。

主权项：1.一种延迟锁定回路，其特征在于，包括：延迟时间产生电路，以及与所述延迟时间产生电路连接的占空比控制电路；所述延迟时间产生电路用于根据输入的参考时钟信号输出延迟后的参考时钟信号；所述占空比控制电路的输入端用于接收所述延迟时间产生电路输出的所述延迟后的参考时钟信号，输出端用于向所述延迟时间产生电路反馈占空比控制信号；其中，所述占空比控制电路包括：滤波电路和比较电路；所述滤波电路用于对所述延迟后的参考时钟信号进行滤波，得到所述延迟后的参考时钟信号的直流电压；所述比较电路用于比较所述直流电压和二分之一的电源电压，并根据比较结果向所述延迟时间产生电路反馈所述占空比控制信号；所述占空比控制信号包括：第一占空比控制信号和第二占空比控制信号；所述延迟时间产生电路包括：第一反相器，第二反相器，延迟单元电容阵列，第三P型MOS管，第四P型MOS管，第五P型MOS管和第六P型MOS管；所述第四P型MOS管的栅极用于接收所述第一占空比控制信号，所述第四P型MOS管的漏极与所述第一反相器的控制端相连并将所述第一占空比控制信号输入所述第一反相器，所述第四P型MOS管的源极与所述第三P型MOS管的源极并联接入电源电压；所述第三P型MOS管的栅极用于接收第一延迟时长控制信号，所述第三P型MOS管的漏极与所述第一反相器的所述控制端相连并将所述第一延迟时长控制信号输入所述第一反相器；所述第六P型MOS管的栅极用于接收所述第二占空比控制信号，所述第六P型MOS管的漏极与所述第二反相器的控制端相连并将所述第二占空比控制信号输入所述第二反相器，所述第六P型MOS管的源极与所述第五P型MOS管的源极并联接入电源电压；所述第五P型MOS管的栅极用于接收第二延迟时长控制信号，所述第五P型MOS管的漏极与所述第二反相器的所述控制端相连并将所述第二延迟时长控制信号输入所述第二反相器；所述第一反相器的输入端用于接收所述参考时钟信号和所述第一占空比控制信号，所述第一反相器的输出端与所述第二反相器的输入端连接，所述第二反相器的输出端作与所述滤波电路的输入端相连；其中，所述延迟单元电容阵列的一端与第一反相器的输出端和第二反相器的输入端相连，另一端接地，所述延迟单元电容阵列用于控制延迟时间。

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