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申请/专利权人：IQE公开有限公司
摘要：鉴于III‑N层生长工艺中的高温问题，本文描述的实施例使用分层结构，分层结构包括稀土氧化物REO或稀土氮化物REN缓冲层和多晶III‑N‑RE过渡层以从REO层过渡到III‑N层。在一些实施例中，III‑N层的压电系数通过分层结构中的额外应变的引入而增大。然后，RE‑III‑N氮化物的多晶性可以被用于与III‑N层的晶格匹配。
主权项：1.一种分层结构，包括：基板；含稀土缓冲层，所述含稀土缓冲层部署在基板上方；以及III-N稀土过渡层，所述III-N稀土过渡层部署在含稀土缓冲层上方，其中，III-N稀土过渡层包括：多个子层，每个子层具有面内晶格常数，其中，所述多个子层中的第一子层在III-N稀土过渡层的上表面处具有第一面内晶格常数，其中，所述多个子层中的第二子层在III-N稀土过渡层的下表面处具有第二面内晶格常数，所述下表面耦合到含稀土缓冲层并且与所述上表面相对，并且其中，第一面内晶格常数小于第二面内晶格常数。
全文数据：
权利要求：
百度查询： IQE公开有限公司 半导体结构中的III-N至稀土过渡
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