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申请/专利权人：中国人民解放军国防科技大学
摘要：本发明公开一种集成电路中重离子致单粒子翻转软错误率的检测方法，步骤包括：S1.以被测集成电路中心为球心，在单位球面表面均匀排列多个球面点；S2.依次使用复合重离子束沿各个球面点向球心方向辐照被测集成电路，并测试预设的辐照时长内被测集成电路发生单粒子翻转事件的次数，所述复合重离子束包含具有多种能量的多种元素，所述复合重离子束在各LET的离子通量值大于指定空间轨道上各LET的离子通量；S3.根据检测得到的各所述被测集成电路发生单粒子翻转事件的次数以及所述辐照时长，计算被测集成电路在指定空间轨道下的重离子致单粒子翻转软错误率。本发明具有实现操作简单、易于实现且检测误差小、精度高等优点。
主权项：1.一种集成电路中重离子致单粒子翻转软错误率的检测方法，其特征在于，步骤包括：S1.以被测集成电路中心为球心，在单位球面表面均匀排列多个球面点；S2.依次使用复合重离子束沿各个球面点向球心方向辐照被测集成电路，并测试预设的辐照时长内被测集成电路发生单粒子翻转事件的次数，所述复合重离子束包含具有多种能量的多种元素，所述复合重离子束在各LET的离子通量值大于指定空间轨道上各LET的离子通量；S3.根据检测得到的各所述被测集成电路发生单粒子翻转事件的次数以及所述辐照时长，计算被测集成电路在指定空间轨道下的重离子致单粒子翻转软错误率。
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权利要求：
百度查询： 中国人民解放军国防科技大学 集成电路中重离子致单粒子翻转软错误率的检测方法
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