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申请/专利权人：江苏第三代半导体研究院有限公司
摘要：本发明公开了一种半导体外延结构的刻蚀方法、二次外延方法及应用。所述刻蚀方法包括：提供半导体外延片，表层为缺陷外延层；以含氧前驱体对所述缺陷外延层进行处理，使所述缺陷结构侧面覆盖形成氧结构；以刻蚀性气体将所述氧结构侧向刻蚀去除；循环重复一个以上周期，直至将所述缺陷外延层刻蚀去除。本发明提供的刻蚀方法利用含氧前驱体在缺陷处形成氧结构覆盖，使得刻蚀处理的难度得以降低；二次外延方法极大缩短外延片二次生长利用的周期，提高外延片重复利用效率；解决了常规工艺难以对整个外延层表面进行刻蚀的问题，极大地降低了生产成本，提高了企业产品的价格竞争力。
主权项：1.一种半导体外延结构的刻蚀方法，其特征在于，包括：1）提供半导体外延片，所述半导体外延片的表层为缺陷外延层，所述缺陷外延层的材质包括III-V族化合物，且所述缺陷外延层的表面具有缺陷结构；2）在惰性保护气氛下，通入含氧前驱体在650-950℃范围内进行所述缺陷外延层的表面处理，通入时间为5-15min，利用所述缺陷结构易于氧化学吸收的倾向性，以使所述缺陷结构侧面覆盖形成氧结构；3）在第二温度条件下，以刻蚀性气体将所述氧结构侧向刻蚀去除，所述刻蚀性气体包括氢气，或在高温下具有还原性，或能够分解产生氢气或还原性氢原子的气体，所述第二温度为950-1400℃；4）循环重复步骤2）-步骤3）一个以上周期，直至将所述缺陷外延层刻蚀去除。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏第三代半导体研究院有限公司 半导体外延结构的刻蚀方法、二次外延方法及应用
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