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一种基于晶态-非晶复合剥离层的超薄铜箔的制备方法 

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申请/专利权人:山东大学

摘要:本发明涉及一种基于晶态‑非晶复合剥离层的超薄铜箔的制备方法,本发明首先采用两步电沉积法制备了晶态金属剥离层和非晶态金属剥离层复合层,其中晶态金属剥离层为金属富镍层,Ni与Cu的晶格类型一致,在载体铜箔与金属剥离层的界面处易形成共格或者半共格界面,晶态金属剥离层与载体箔形成较强的界面冶金结合,实现界面强度的差异化控制;非晶态金属剥离层为非晶镀铬层,碳、氧元素在C、O和Cr共沉积过程中掺杂到Cr晶格中,扰乱了Cr原子的排列,呈现无序状态,非晶镀铬层与极薄铜箔之间的范德华力较弱,形成较弱的界面结合,易于极薄铜箔的分离,同时晶粒细腻、界面纯净。

主权项:1.一种基于晶态-非晶复合剥离层的超薄铜箔的制备方法,包括步骤如下:(1)对载体铜箔进行预处理;(2)预处理后的载体铜箔浸入电镀镍溶液中,进行电沉积制备晶态富镍剥离层;电镀镍溶液组分如下:以去离子水作为溶剂,质量浓度为215-240gL的NiSO4·6H2O、35-40gL的NiCl2·6H2O、30-40gL的H3BO3,pH为4-5;电沉积温度为40-50℃,电流密度为2-10Adm2,直流电沉积时间为10-15s;(3)将步骤(2)得到的晶态富镍剥离层的载体铜箔浸入电镀铬溶液中,进行电沉积制备非晶镀铬层,得到晶态-非晶复合剥离层的载体铜箔;电镀铬溶液组分如下:以去离子水作为溶剂,质量浓度为115-125gL的Cr2SO43·6H2O,55-65gL的HCOONH4,18-20gL的CONH22,35-40gL的H3BO3,130-140gL的Na2SO4,0.02-0.03gL的C12H25NaSO4,pH为3-4;电沉积温度为30~40℃,电流密度为5-10Adm2,直流电沉积时间为5-8s;(4)将晶态-非晶复合剥离层的载体铜箔浸入电镀铜溶液中,进行超薄铜箔的电沉积制备,得到易剥离复合铜箔,易剥离复合铜箔包括载体铜箔层、剥离层、超薄铜箔层,所述的剥离层包括晶态剥离层和非晶态剥离层;其中晶态层为富镍层,非晶态层为非晶镀铬层;由晶态层和非晶层作为剥离层。

全文数据:

权利要求:

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