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申请/专利权人：蜂巢能源科技股份有限公司
摘要：本发明提供了一种掺杂型二硫化钼及其制备方法与应用，所述制备方法包括如下步骤：将硫源、溶剂以及钼和掺杂元素的共同元素源进行混合，然后进行溶剂热反应，得到硫化钼材料；将所述硫化钼材料进行退火处理，得到所述掺杂型二硫化钼；所述制备方法能直接合成掺杂型的MoS2，解决了MoS2的固有电导率较低的问题，改善了材料内部的导电性，大大加速了MoS2材料内电子的转移，同时减小了材料的体积变化，扩大了电极电解质的接触面积，从而使二硫化钼具有更高的电化学性能。
主权项：1.一种掺杂型二硫化钼的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：（1）将硫源、溶剂以及钼和掺杂元素的共同元素源进行混合，然后进行溶剂热反应，得到硫化钼材料；所述钼和掺杂元素的共同元素源包括含有Mo-C键和或的Mo-N键的配合物，所述配合物包括Moη6-A2和或Mn[MoCN8]，其中，A选自含有碳和氮的有机分子，M包括金属离子，1≤n≤4；（2）将步骤（1）所述硫化钼材料进行退火处理，得到所述掺杂型二硫化钼；步骤（2）所述退火处理在惰性气体和还原性气体中进行。
全文数据：
权利要求：
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