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申请/专利权人：上海征世科技股份有限公司
摘要：本发明公开了一种提升金刚石拼接处质量的方法，用于解决拼接处质量不均匀、位错密度大、结合强度差的问题，属于CVD金刚石生长领域。本发明对金刚石拼接处进行激光切割，使得拼接处形成V型槽，同时引入含氧气体，对拼接处的V槽进行优先生长修复，修复完成后进行衬底的全面生长，提高了拼接处质量，获得高质量大面积单晶金刚石。
主权项：1.一种提升金刚石拼接处质量的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：S1、选取高质量金刚石籽晶作为衬底层（1），通过微波等离子体化学气相沉积法在衬底金刚石上沉积生长外延层（2）；S2、通过激光切割将金刚石外延层（2）与衬底层（1）分离，对外延层（2）与衬底层（1）进行预处理，使得处理后的外延层（2’）与衬底层（1’）厚度一致；S3、将金刚石的外延层（2’）与衬底层（1’）按照生长纹路方向一致的进行排列，对金刚石衬底层（1’）与外延层（2’）的拼接处进行激光切割，切割的角度为30°-60°的斜面，使得金刚石衬底层（1’）与外延层（2’）的拼接处形成V型槽（3），所述V型槽的深度为金刚石衬底（4）厚度的14-13，从而形成V型拼接的金刚石衬底（4）；S4、对V型拼接的金刚石衬底（4）进行等离子刻蚀，将处理好的衬底（4’）引入微波等离子体生长系统，同时通入含氧气体，逐渐降低含氧气体的浓度，使V型槽获得优先生长，待V型槽填满后停止提供含氧气体，所述含氧气体选自O2和CO2构成的组中的一种或多种。
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百度查询： 上海征世科技股份有限公司 一种提升金刚石拼接处质量的方法
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