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一种铜钼基板用光刻胶剥离液 

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申请/专利权人:合肥中聚和成电子材料有限公司

摘要:本发明属于半导体制备工艺领域,具体涉及一种铜钼基板用光刻胶剥离液,由以下质量百分数的组分组成:醇胺10‑30%、糖醇1‑10%、双功能化离子液体2‑5%、消泡剂0.1‑1%、有机溶剂20‑60%、余量为水,各组分之间相互作用,可以有效地溶解并脱离光刻胶层,实现快速且彻底的剥离效果,同时还能减少对基板的损失,对基板的金属层具有很好的保护效果,起到缓蚀保护作用,能够有效抑制其腐蚀,延长使用寿命。解决了现有技术的光刻胶剥离液虽然能有效防止Al被腐蚀,但无法解决铜钼基板的光刻胶残留和金属层腐蚀问题,在半导体行业中具有广泛的应用前景。

主权项:1.一种铜钼基板用光刻胶剥离液,其特征在于,由以下质量百分数的组分组成:醇胺10-30%、糖醇1-10%、双功能化离子液体2-5%、消泡剂0.1-1%、有机溶剂20-60%、余量为水;所述双功能化离子液体为[C10BTA]Thr,或者为[EMIm]OOCC2H5-HS和[C10BTA]Thr的组合;所述[EMIm]OOCC2H5-HS由以下方法制得:分别称取等摩尔的1-乙基-3-甲基氢氧化咪唑[EMIm]OH和3-巯基丙酸HOOCC2H5-HS溶于甲醇水溶液中,调节pH为5-6,搅拌反应10-15h后旋转蒸发,产物真空干燥,得[EMIm]OOCC2H5-HS;所述[C10BTA]Thr由以下方法制得:S1、分别称取苯并三氮唑与正溴代癸烷加入丙酮中,升温至40-50℃,反应8-10h后,将溶液旋转蒸发去除丙酮,用乙酸乙酯洗涤后旋转蒸发,得[C10BTA]Br;S2、先将离子交换树脂用去离子水洗至中性,装入离子交换柱中,再将步骤S1所得[C10BTA]Br溶于去离子水中,随后装入离子交换柱中,静置2-3h,得[C10BTA]OH;S3、将步骤S2所得[C10BTA]OH与苏氨酸加入去离子水中,在氮气保护下,搅拌反应6-10h后,旋转蒸发,真空干燥,得[C10BTA]Thr。

全文数据:

权利要求:

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