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蚀刻液 

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申请/专利权人:苏州华星光电技术有限公司

摘要:本发明实施例公开了一种蚀刻液;该蚀刻液用于同时蚀刻金属层和半导体层,该蚀刻液包括过硫酸化合物、无机酸、含氟化合物、唑类化合物、有机酸、及水,以质量百分比计,蚀刻液的各组分含量如下:过硫酸化合物5wt%至15wt%,无机酸0.1wt%至5wt%,含氟化合物0.1wt%至4wt%,唑类化合物0.1wt%至6wt%,有机酸0.1wt%至6wt%;本发明通过利用过硫酸化合物中过硫酸根离子的氧化作用,加强对于半导体层的蚀刻,实现同时对于金属层和半导体层的蚀刻,一次性湿蚀刻金属线层和置于金属线下方的半导体层,将传统的两次干蚀刻和两次湿蚀刻制程缩减成一次干蚀刻和两次湿蚀刻,提高了制造的生产节拍和效率。

主权项:1.一种蚀刻液,其特征在于,用于同时蚀刻金属层和半导体层,所述蚀刻液包括过硫酸化合物、无机酸、含氟化合物、唑类化合物、有机酸、及水;其中,以质量百分比计,所述蚀刻液的各组分含量如下:过硫酸化合物5wt%至15wt%,无机酸0.1wt%至5wt%,含氟化合物0.1wt%至4wt%,唑类化合物0.1wt%至6wt%,有机酸0.1wt%至6wt%;所述含氟化合物为氟化氢铵,或和所述过硫酸化合物为过硫酸铵,以质量百分比计,所述蚀刻液中的铵根离子的含量大于或等于0.08wt%。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 苏州华星光电技术有限公司 蚀刻液

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