龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：杭州泽达半导体有限公司
摘要：本发明涉及一种控制半导体刻蚀图形尺寸的方法，涉及新材料半导体工艺技术领域，包括以下步骤：S1，包括刻蚀基底，刻蚀基底上覆盖有刻蚀掩膜；S2，采用共聚焦显微镜和台阶仪对刻蚀掩膜进行测量；S3，刻蚀，并在刻蚀后，将刻蚀掩膜去除。本发明通过共聚焦显微镜和台阶仪共同对刻蚀掩膜进行测量，不仅能得到误差较小的结果，而且适用于尺寸较小的图形。
主权项：1.一种控制半导体刻蚀图形尺寸的方法，其特征在于：包括以下步骤：S1，刻蚀基底上覆盖刻蚀掩膜；S2，采用共聚焦显微镜和台阶仪对刻蚀掩膜进行测量；S3，刻蚀，并在刻蚀后，将刻蚀掩膜去除；所述S2与S3中通过共聚焦显微镜和台阶仪可测量并计算获得：测量刻蚀掩膜顶部参数，测量刻蚀掩膜底部参数，刻蚀掩膜深度的形貌参数depth1，刻蚀工艺后基底材料刻蚀深度depth2，经过刻蚀工艺后刻蚀掩膜消耗深度depth3；刻蚀掩膜角度angle1，刻蚀图形角度angle2；刻蚀后图形宽度size2；所述S2包括对测量刻蚀掩膜顶部参数和测量刻蚀掩膜底部参数进行校正，刻蚀掩膜顶部参数size1=测量刻蚀掩膜顶部参数×s，刻蚀掩膜底部参数size3=测量刻蚀掩膜底部参数×s，其中s为共聚焦显微镜测量偏差系数；刻蚀时间t的计算公式为，其中R_ev为基底外延材料纵向刻蚀速率；所述刻蚀掩膜消耗深度depth3计算公式为，，其中R_mv为刻蚀掩膜纵向刻蚀速率；所述刻蚀掩膜角度angle1计算公式为：；所述刻蚀后图形宽度size2计算公式为：，其中R_mh刻蚀掩膜横向刻蚀速率，R_eh为基底外延材料横向刻蚀速率，通过上述对size2的计算公式，可以对刻蚀后的图形宽度进行预测。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州泽达半导体有限公司 一种控制半导体刻蚀图形尺寸的方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号