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申请/专利权人：电子科技大学
摘要：本发明属于硅基光电子学领域，具体涉及一种基于片上电磁铁的氮化硅基磁光调制器。本发明通过在氮化硅磁光波导器件的磁光波导上制备金属导线和软磁材料薄膜，实现利用微弱的电流控制软磁材料薄膜的磁化方向，进而控制磁光波导磁化方向的效果，从而达到在氮化硅波导平台上以低功耗控制光强的效果。本发明对氮化硅波导平台低功耗的光调制功能实现具有重要意义。
主权项：1.一种基于片上电磁铁的氮化硅基磁光调制器，其特征在于：包括氮化硅磁光波导器件和片上电磁铁；所述氮化硅磁光波导器件由氮化硅波导器件和磁光波导组成；所述片上电磁铁由软磁材料薄膜和金属导线组成；其中，金属导线的电阻率≤3×10-8Ω·m，用于施加电流后产生外磁场以将软磁材料薄膜磁化至饱和；软磁材料薄膜具有≤20Oe的矫顽力、≥1T的饱和磁化强度和≥1T的剩余磁化强度，当被磁化至饱和后产生大于200Oe的磁场，作用于磁光波导；工作时，首先在金属导线中通入电流，使其产生外磁场并将软磁材料薄膜磁化至饱和，而后软磁材料薄膜会在其周围产生大于200Oe的磁场，该磁场将磁光波导磁化；通过改变金属导线中通入电流的方向，其产生的外磁场方向发生180度翻转，使得软磁材料薄膜的磁化方向发生翻转，进而使得磁光波导的磁化方向发生翻转，从而控制输出的光强；所述金属导线生长于磁光波导的上方，软磁材料薄膜生长在金属导线的上方；所述软磁材料薄膜为双条形，形成对磁极，其上均设有硅基集成的金属导线，并对其上硅基集成的金属导线分别施加相同方向的电流，使得双条形硅基集成的软磁材料薄膜中间区域的磁场强度提高，而磁光波导居于对磁极的中间区域。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 电子科技大学 一种基于片上电磁铁的氮化硅基磁光调制器
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