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申请/专利权人：黑龙江八一农垦大学
摘要：本发明涉及生物芯片基底制备技术领域，特别是涉及一种多孔硅氧化锌生物芯片基底的制备方法。本发明方法包括以下步骤：将单晶硅片进行电化学腐蚀，得到多孔硅；对所述多孔硅进行热氧化处理，得到热氧化多孔硅；通过浸渍提拉法在所述热氧化多孔硅表面涂覆氧化锌薄膜，得到所述多孔硅氧化锌复合材料。本发明探索了利用电化学腐蚀制备多孔硅的最佳制备条件，对该条件下制备得到的多孔硅进行热氧化稳定性处理，然后采用浸渍提拉法在热氧化多孔硅基底上覆涂氧化锌薄膜，最终得到孔隙分布均匀、表面性质稳定且具有荧光增强效应的氧化锌多孔硅复合材料的芯片基底。
主权项：1.一种多孔硅氧化锌生物芯片基底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，将单晶硅片进行电化学腐蚀，得到多孔硅；步骤2，对所述多孔硅进行热氧化处理，得到热氧化多孔硅；步骤3，通过浸渍提拉法在所述热氧化多孔硅表面涂覆氧化锌薄膜，得到所述多孔硅氧化锌生物芯片基底；步骤1中，所述电化学腐蚀的电流密度为80mAcm2，时间为20min；步骤2中，进行热氧化处理前还包括将所述多孔硅置于正己烷溶液中浸泡10min的步骤。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 黑龙江八一农垦大学 一种多孔硅/氧化锌生物芯片基底的制备方法
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