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申请/专利权人：松山湖材料实验室

摘要：本发明涉及GaN功率器件技术领域。具体涉及一种逆阻GaN功率器件及其制备方法。逆阻GaN功率器件包括：衬底层；外延结构，位于衬底层表面，包括在衬底层表面层叠设置的成核层、缓冲层、沟道层和势垒层；所述外延结构呈台阶结构；绝缘介质层；包括位于势垒层表面的第一绝缘介质层；混合漏极接触电极；混合漏极接触电极位于第一绝缘介质层的侧部，包括位于势垒层表面的水平部和与水平部一体成型的延伸部，延伸部覆盖外延结构的台阶部的侧部；势垒层与沟道层之间的界面间存在二维电子气，延伸部至少穿过二维电子气所在的平面。本发明提供的逆阻GaN功率器件正向导通时具有较低的正向导通压降，反向阻断时具有较高的反向击穿电压。

主权项：1.一种逆阻GaN功率器件，其特征在于，包括：衬底层；外延结构；所述外延结构位于所述衬底层表面，包括在所述衬底层表面层叠设置的成核层、缓冲层、沟道层和势垒层；所述外延结构呈台阶结构，包括靠近所述衬底层的第一部分和远离所述衬底层的第二部分，所述第一部分的水平尺寸大于所述第二部分的水平尺寸；P型GaN掺杂层；所述P型GaN掺杂层位于所述势垒层背向所述衬底层一侧表面；绝缘介质层；所述绝缘介质层包括位于所述势垒层背向所述衬底层一侧表面的第一绝缘介质层，所述第一绝缘介质层还包覆所述P型GaN掺杂层的侧部，并至少部分的覆盖所述P型GaN掺杂层背向所述衬底层一侧表面；混合漏极接触电极；所述混合漏极接触电极位于所述第一绝缘介质层的侧部，包括位于所述势垒层背向所述衬底层一侧表面的水平部和与所述水平部一体成型的延伸部，所述延伸部延伸并覆盖所述台阶结构的第二部分的侧部；所述水平部还部分覆盖所述第一绝缘介质层位于势垒层表面的部分；所述势垒层与所述沟道层之间的异质结界面间存在二维电子气，所述延伸部至少穿过所述二维电子气所在的平面；所述混合漏极接触电极、第一绝缘介质层和势垒层共同构成金属-绝缘介质-半导体结构；所述混合漏极接触电极与所述势垒层形成肖特基接触；所述混合漏极接触电极与所述二维电子气形成肖特基接触；所述金属-绝缘介质-半导体结构、所述混合漏极接触电极与所述势垒层的肖特基接触和所述混合漏极接触电极与所述二维电子气的肖特基接触共同形成三重耗尽区。

全文数据：

权利要求：

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