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申请/专利权人：深圳大学
摘要：一种准碳纳米管结构及其制作方法，该准碳纳米管结构包括碳纳米管或碳纳米条带，该碳纳米管上通过原子水平剪裁形成有轴向线性缺陷，该碳纳米条带卷曲形成包含轴向线性缺陷的稳定准碳纳米管结构；其中，所述线性缺陷实现手性转变和带隙宽度的调控，使得半导体手性碳纳米结构转变为金属性碳纳米结构。提供一种原子水平制造方法实现碳纳米管的导电性能增强和手性的转变。本方法的优越性在于不要求初始碳纳米管结构的手性，通过引入所需的轴向线性缺陷，实现半导体性碳纳米管到金属性碳纳米结构的手性转变；实现金属性碳纳米管结构的金属特性增强和调控。通过引入的线性缺陷的退简并态，显著提高碳纳米管的导电性能，实现手性调控并简化了调控方式。
主权项：1.一种准碳纳米管结构的制作方法，其特征在于，包括：通过在电场中对碳纳米条带退火，使所述碳纳米条带卷曲形成包含轴向线性缺陷的稳定准碳纳米管结构；所述方法具体包括：使用光刻技术制备石墨烯条带衬底；通过化学气相沉积法在衬底上制备石墨烯条带；使用有机溶剂去除光刻胶；电场中退火，使石墨烯条带卷曲形成包含轴向线性缺陷的稳定准碳纳米管结构；所述电场中退火包括：在高真空条件下，施加垂直于衬底方向强电场2.5-5kVm，将含衬底的石墨烯条带加热升温至1200K-1300K，然后进行退火处理1到10个小时使得卷曲的纳米条带达到结构稳定，然后随退火设备缓慢冷却到室温；采用电解的方式从衬底上剥离制备好的准碳纳米管结构。
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