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申请/专利权人：芯联集成电路制造股份有限公司
摘要：本发明提供一种MEMS器件、掩模版及MEMS器件的制备方法，利用本发明提供的掩模版及MEMS器件的制备方法所制备而成的所述MEMS器件，包括：衬底和在衬底上依次形成的介质层、第一电极层、牺牲层和第二电极层，所述第二电极层具有凸出结构，所述第一电极层具有缕空结构，所述介质层具有第一空腔，所述第一电极层上下运动时，所述镂空结构及位于所述镂定结构下方的所述第一空腔对所述凸出结构的运动起到缓冲作用，使得所述凸起结构与第一电极层发生碰撞时，两者之间的碰撞为弹性碰撞，从而可以减小凸起结构因碰撞而破裂和粘连的机率。
主权项：1.一种MEMS器件，其特征在于，包括：衬底；介质层，形成于所述衬底上，所述介质层具有第一空腔；第一电极层，形成于所述介质层上，所述第一电极层包括镂空结构，所述镂空结构具有贯穿设置的通孔，所述镂空结构在所述衬底上的投影落入所述第一空腔在所述衬底上的投影内；第二电极层，所述第二电极层与所述第一电极层之间具有第二空腔，且所述第二电极层具有朝向所述镂空结构设置的凸起结构，所述凸起结构位于所述第二空腔内，且所述凸起结构在所述衬底上的投影落入所述镂空结构在所述衬底上的投影内。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 芯联集成电路制造股份有限公司 MEMS器件、掩模版及MEMS器件的制备方法
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