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申请/专利权人：郑州炜盛电子科技有限公司
摘要：本实用新型提出了一种顶栅结构场效应晶体管，包括基底、设置在基底上的漏极和源极，基底上设有介质层，介质层上设有敏感栅极，所述基底上还设有分别与漏极、源极和敏感栅极连接的引线焊盘。本实用新型采用硅平面工艺制作，既相比沟槽型埋栅结构，工艺简化，又具有低功耗、高灵敏、易集成的特点，工艺简化，成本降低，满足清洁能源领域对特定环境的氢气检测需求；本实用新型镀钯的敏感栅极使得场效应晶体管工作在亚阈值区，可以极大提升传感器灵敏度，并且通过自身场效应晶体管的放大作用，使得输出信号更加稳定。
主权项：1.一种顶栅结构场效应晶体管，其特征在于：包括基底（101）、设置在基底（101）上的漏极（102）和源极（103），基底（101）上设有介质层（104），介质层（104）上设有敏感栅极（105）；所述基底（101）上还设有分别与漏极（102）、源极（103）和敏感栅极（105）连接的引线焊盘（106）。
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权利要求：
百度查询： 郑州炜盛电子科技有限公司 一种顶栅结构场效应晶体管
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