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一种高耐压防反灌电路 

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申请/专利权人:江苏硅国微电子有限公司

摘要:本申请公开了一种高耐压防反灌电路,主要用于锂电池充电管理芯片,包括高压P型LDMOS管P0、P1和P2,比较器COMP,BULKtoVIN控制电路,BULKtoBAT控制电路。比较器COMP比较VIN与BAT电压的高低,输出相应信号至BULKtoVIN控制电路和BULKtoBAT控制电路,BULKtoVIN控制电路控制P1管的导通和关断,BULKtoBAT控制电路控制P2管的导通和关断。本申请解决了锂电池充电管理芯片在高压应用下的防反灌问题,相比传统的功率管用两个背靠背的高压PMOS串联防反灌,在同样的耐压及同样的导通内阻下本申请所需的功率管版图面积仅为传统防反灌方案的两个背靠背PMOS面积的14,可以显著降低高压充电管理芯片的成本。

主权项:1.一种高耐压防反灌电路,其特征在于,包括高压P型LDMOS管P0、P1和P2,比较器COMP,BULKtoVIN控制电路和BULKtoBAT控制电路;高压P型LDMOS管P0的源极接芯片供电端VIN,其漏极接电池端BAT,其衬底电位BULK跟高压P型LDMOS管P1和P2的源极短接,P1管和P2管的衬底电位也短接连接至BULK;P1管的漏极连接至VIN,P1管的栅极连接至BULKtoVIN控制电路的输出端;P2管的漏极连接至BAT,P2管的栅极连接至BULKtoVIN控制电路的输出端;BULKtoVIN控制电路由BULK电位供电,其输入端连接至比较器COMP的输出端,其输出端连接至P1管的栅极;BULKtoBAT控制电路由BAT跟BULK两路供电,其输入端连接至比较器COMP的输出端,其输出端连接至P2管的栅极;比较器COMP由芯片内部产生的5V电压源VCC供电,其同相端连接至VIN,反向端连接至BAT,其输出端分别连接至BULKtoVIN控制电路和BULKtoBAT控制电路的输入端。

全文数据:

权利要求:

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