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申请/专利权人：深圳振华富电子有限公司
摘要：本申请公开了一种辅助层和叠层器件，涉及低温共烧陶瓷技术领域。该辅助层包括第一生瓷片，所述第一生瓷片上开设有避让口和定位部，所述定位部位于所述避让口的外围，所述避让口在第一生瓷片上的正投影大于或等于所述叠层器件的功能区在第一生瓷片上的正投影。该辅助层用于低温共烧陶瓷的叠层器件的制备，在叠层器件叠层制备过程中，功能区和非功能区的厚度差较大时，可用辅助层来补偿半成品叠层器件的功能区和非功能区的厚度差。
主权项：1.一种辅助层，用于低温共烧陶瓷的叠层器件的制备，其特征在于，所述辅助层包括第一生瓷片10，所述第一生瓷片10上开设有避让口11和定位部12，所述定位部12位于所述避让口11的外围，所述避让口11在第一生瓷片10上的正投影大于或等于所述叠层器件的功能区20在第一生瓷片10上的正投影。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳振华富电子有限公司 辅助层和叠层器件
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