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申请/专利权人：芯嵛半导体(上海)有限公司
摘要：本实用新型公开一种用带状离子束注入工件的离子注入系统，所述离子注入系统采用高分辨率电磁铁分析器，高分辨率电磁铁分析器包括有围绕带状离子束的行进路径的弓形磁轭结构，所述高分辨率电磁铁分析器的出口一端外设置有具有狭缝的分辨槽，用于使带状离子束传输通过分辨槽的狭缝从而从动量不同的污染物离子中分离出所需离子；基于电磁铁分析器为核心模块的离子注入系统包括小型离子源和引出电极，离子束在电磁铁继续扩展，使得离子束的长轴达到目标长度，离子束在四极磁透镜磁铁得以准直，通过分辨槽而继续往目标处前行。本实用新型通过对结构及方法的多方面优化改进，能够更好地满足目前高品质先进半导体工艺的要求。
主权项：1.一种用带状离子束注入工件的离子注入系统，其特征在于，所述用带状离子束注入工件的离子注入系统包括：离子源，其具有槽状开口的、用于产生在水平和垂直两个方向上发散的带状离子束；高分辨率电磁铁分析器，其用于从行进的带状离子束中分离不需要的离子种类的，其将带状离子束在其窄尺寸上聚焦成线焦点；具有狭缝的分辨槽，其使得聚焦的带状离子束通过所述狭缝传输，所述狭缝阻挡不需要的污染物；四极线性透镜，其能够产生所需强度的四极场，所述四极场将带状离子束在其较长尺寸上聚焦，从而使离子束轨迹近似平行；以及，注入机构，使工件以设定速度沿带状离子束窄尺寸方向穿过带状离子束，从而有效地将所需剂量的离子注入工件。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 芯嵛半导体(上海)有限公司 一种用带状离子束注入工件的离子注入系统
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