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申请/专利权人：英特尔公司
摘要：公开了形成具有桥接接触结构的集成电路的技术。例如，桥接接触结构可以在源极漏极接触部之间桥接并桥接到同一器件层之内的相邻栅电极。在示例中，栅极切口结构在第一方向上延伸以分隔相邻半导体器件的源极或漏极区和栅极结构。可以沿正交于第一方向的第二方向在栅极切口的相反侧上的相邻器件的源极或漏极区之上形成接触部。利用源极或漏极接触部之间的第一导电桥替换栅极切口的一部分。利用在源极或漏极接触部和栅极结构之间沿第一方向延伸的第二导电桥替换源极或漏极接触部之一和相邻栅电极之间的一个或多个电介质阻挡部的一部分。
主权项：1.一种集成电路，包括：第一半导体器件，所述第一半导体器件具有沿第一方向从第一源极或漏极区延伸的第一半导体区，以及沿第二方向在所述第一半导体区之上延伸的第一栅极结构；第二半导体器件，所述第二半导体器件具有沿所述第一方向从第二源极或漏极区延伸的第二半导体区，以及沿所述第二方向在所述第二半导体区之上延伸的第二栅极结构；电介质壁，所述电介质壁在所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间并且在所述第一源极或漏极区和所述第二源极或漏极区之间沿所述第一方向延伸；以及导电接触部，所述导电接触部具有所述第一源极或漏极区的顶表面上的第一区、沿所述第二方向延伸穿过所述电介质壁的一部分的第二区、所述第二源极或漏极区的顶表面上的第三区，以及所述第一栅极结构的顶表面上的第四区。
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