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申请/专利权人：英特尔公司
摘要：本文提供了用以形成布置在位于一侧上的栅极切口和位于另一侧上的深背面过孔之间的半导体器件的技术。一行半导体器件均包括在对应源极区或漏极区之间在第一方向上延伸的半导体区以及在该半导体区之上在第二方向上延伸的栅极结构。每个半导体器件可以通过栅极切口或者深背面过孔沿第二方向与相邻的半导体器件隔开。栅极切口可以是延伸穿过栅极结构的整个厚度的电介质壁，并且深背面过孔可以包括也延伸穿过栅极结构的至少整个厚度的导电层和电介质屏障。每个半导体器件可以包括位于一侧上的栅极切口和位于另一侧上的深背面过孔。
主权项：1.一种集成电路，包括：半导体器件，具有在第一方向上从第一源极区或漏极区延伸至第二源极区或漏极区的半导体区，以及在所述半导体区之上在第二方向上延伸的栅电极；电介质壁，在所述第一方向上延伸穿过所述栅电极的整个厚度并且与所述第一源极区或漏极区以及所述第二源极区或漏极区相邻地在所述第一方向上延伸；以及导电过孔，在所述第一方向上延伸穿过所述栅电极的整个厚度并且与所述第一源极区或漏极区以及所述第二源极区或漏极区相邻地在所述第一方向上延伸，使得所述半导体器件沿所述第二方向位于所述电介质壁和所述导电过孔之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英特尔公司 栅极切口与深背面过孔之间的半导体器件
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