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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：非易失性存储器件包括：衬底，包括存储单元区域和连接区域；模制结构，包括交替堆叠的多个栅电极和多个模制绝缘层；沟道结构，在存储单元区域中穿过模制结构；第一单元接触部，在连接区域中穿过模制结构，连接到第一栅电极，并且与第二栅电极电断开；多个支撑结构，在连接区域中在平面上围绕第一单元接触部，并且延伸穿过模制结构；以及坝结构，在连接区域中位于第一单元接触部和第二栅电极之间，并且与第一单元接触部间隔开，绝缘环介于坝结构与第一单元接触部之间。
主权项：1.一种非易失性存储器件，包括：衬底，包括存储单元区域和连接区域；模制结构，包括顺序地堆叠在所述存储单元区域中并阶梯式堆叠在所述连接区域中的多个栅电极、以及与所述多个栅电极交替堆叠的多个模制绝缘层；沟道结构，在所述存储单元区域中穿过所述模制结构，并且穿过所述多个栅电极；第一单元接触部，在所述连接区域中穿过所述模制结构，连接到所述多个栅电极之中的第一栅电极，并且与所述多个栅电极之中的第二栅电极电断开；多个支撑结构，在所述连接区域中在平面上围绕所述第一单元接触部，并且分别在穿过所述模制结构的多个第一孔中；以及坝结构，在所述连接区域中在所述第一单元接触部和所述第二栅电极之间，并且与所述第一单元接触部间隔开，绝缘环介于所述坝结构与所述第一单元接触部之间，其中，所述坝结构在多个第二孔中，所述多个第二孔中的每一个的直径大于所述多个第一孔中的每一个的直径，并且所述多个第一孔分别穿过所述多个第二孔。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 非易失性存储器件和包括该非易失性存储器件的电子系统
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