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申请/专利权人：四川大学
摘要：本发明公开了复合基体半导电屏蔽料中导电炭黑含量及分布分析方法，属于高压电缆技术领域，包括如下步骤：S1、准备复合基体半导电屏蔽料样品；S2、对复合基体半导电屏蔽料样品进行抛光处理；S3、对抛光处理后的复合基体半导电屏蔽料样品的抛光面进行电子束轰击，获取抛光面的背散射电子相形态图片，确定导电炭黑粒子在复合基体半导电屏蔽料样品中的分布情况；S4、对抛光处理后的复合基体半导电屏蔽料样品进行升温刻蚀，热解处理，得到炭黑热降解曲线，确定导电炭黑在复合基体半导电屏蔽料样品中的含量，操作简单，准确度高，对复配基体半导电屏蔽料的实际生产配比的调控具有理论指导价值，并可以为后续的屏蔽料的商业化提供有效可行的评价方法。
主权项：1.复合基体半导电屏蔽料中导电炭黑含量及分布分析方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、准备复合基体半导电屏蔽料样品；S2、对步骤S1得到的复合基体半导电屏蔽料样品进行抛光处理；S3、对抛光处理后的复合基体半导电屏蔽料样品的抛光面进行电子束轰击，获取抛光面的背散射电子相形态图片，确定导电炭黑粒子在复合基体半导电屏蔽料样品中的分布情况；S4、对抛光处理后的复合基体半导电屏蔽料样品进行升温刻蚀，对升温刻蚀后的复合基体半导电屏蔽料样品进行热解处理，得到炭黑热降解曲线，确定导电炭黑在复合基体半导电屏蔽料样品中的含量。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 四川大学 复合基体半导电屏蔽料中导电炭黑含量及分布分析方法
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