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申请/专利权人：云南鑫耀半导体材料有限公司
摘要：本发明涉及半导体材料制备技术，尤其涉及一种改善砷化镓单晶片总厚度偏差的方法，通过将PE膜从圆心处裁掉固定尺寸的圆形缺口，并将剩余圆环形膜层平整粘贴于抛光机Plate上，然后将晶片放置于洒有还原剂的吸附垫上，吸附垫粘贴在陶瓷盘上，所述晶片在陶瓷盘上沿圆周等距布置，晶片的主定位边沿陶瓷盘半径指向陶瓷盘圆心，然后将陶瓷盘置于抛光机Plate上，启动抛光机进行加工；调转晶片放置于再次放置于吸附垫上，所述晶片的主定位边沿陶瓷盘半径指向陶瓷盘边缘，再次启动抛光机进行加工。本发明实现了砷化镓单晶片的总厚度偏差在加工后保证在5um内，获得的单晶片的厚度一致性好、平整度高，解决了厚度偏差过大引起的外延缺陷，满足晶片外延的表面需求。
主权项：1.一种改善砷化镓单晶片总厚度偏差的方法，利用现有的PE膜、吸附垫、陶瓷盘和抛光机，其特征在于通过以下步骤实施：1）PE膜为带背胶的圆形膜层，将PE膜从圆心处裁掉固定尺寸的圆形缺口，并将剩余圆环形膜层平整粘贴于抛光机Plate上，并继续在抛光机Plate上粘贴抛光布待用；2）将晶片放置于洒有还原剂的吸附垫上，吸附垫粘贴在陶瓷盘上，所述晶片在陶瓷盘上沿圆周等距布置，晶片的主定位边沿陶瓷盘半径指向陶瓷盘圆心；然后将陶瓷盘置于抛光机Plate上，启动抛光机进行加工3）调转晶片放置于再次放置于吸附垫上，所述晶片的主定位边沿陶瓷盘半径指向陶瓷盘边缘，再次启动抛光机进行加工。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 云南鑫耀半导体材料有限公司 一种改善砷化镓单晶片总厚度偏差的方法
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