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申请/专利权人：株式会社半导体能源研究所
摘要：提供一种可以实现微型化或高集成化的半导体装置。半导体装置包括具有第一至第三晶体管及电容器的存储单元。第二及第三晶体管共用金属氧化物。在第一晶体管与第二晶体管间设置电容器。用作第一晶体管的源极或漏极的电极上设置有绝缘体，该绝缘体包括到达电极的开口。该开口内部设置有电容器。电容器的一个电极在开口内部具有与第一晶体管的源电极和漏电极中的另一个接触的区域。另外，电容器的一个电极具有与第二晶体管的栅电极接触的区域。
主权项：1.一种半导体装置，包括：第一晶体管；第二晶体管；第三晶体管；电容器；以及第一绝缘体，其中，所述第一晶体管包括第一金属氧化物、第二绝缘体、第一导电体及第二导电体，所述第二晶体管包括第二金属氧化物、第三绝缘体、第三导电体及第四导电体，所述第三晶体管包括所述第二金属氧化物、第四绝缘体、所述第四导电体及第五导电体，所述电容器包括第六导电体、第五绝缘体及第七导电体，所述第二绝缘体设置在所述第一金属氧化物上，所述第一导电体设置在所述第二绝缘体上，所述第二导电体以与所述第一金属氧化物电连接的方式设置在所述第一金属氧化物上，所述第三绝缘体及所述第四绝缘体设置在所述第二金属氧化物上，在所述第三绝缘体上设置所述第三导电体，在所述第四绝缘体上设置所述第五导电体，在所述第三绝缘体与所述第四绝缘体间以与所述第二金属氧化物电连接的方式设置所述第四导电体，在所述第二导电体上设置所述第一绝缘体，所述第六导电体具有与所述第一绝缘体的侧面及所述第二导电体的顶面接触的区域,所述第六导电体与所述第三导电体电连接，所述第五绝缘体设置在所述第六导电体上，所述第七导电体设置在所述第五绝缘体上，并且，所述第七导电体具有位于所述第一绝缘体的顶面的下方的区域。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株式会社半导体能源研究所 半导体装置以及半导体装置的制造方法
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