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申请/专利权人：英飞凌科技股份有限公司
摘要：本文公开了功率半导体模块和功率电子装置。一种功率半导体模块包括：电绝缘框架；半桥电路，其容纳在电绝缘框架中，每个半桥电路包括一个或多个高侧功率半导体管芯以及一个或多个低侧功率半导体管芯；第一结构化的金属框架，其嵌入电绝缘框架中，并且电连接到每个半桥电路的一个或多个高侧功率半导体管芯的漏极或集电极端子；第二结构化的金属框架，其嵌入电绝缘框架中，并且电连接到每个半桥电路的一个或多个低侧功率半导体管芯的源极或发射极端子；以及电绝缘框架中的第一开口，其暴露第一结构化的金属框架或第二结构化的金属框架的位于电绝缘框架的相对的第一侧壁和第二侧壁处以及位于半桥电路中的相邻的半桥电路之间的部分。
主权项：1.一种功率半导体模块，包括：电绝缘框架；多个半桥电路，所述多个半桥电路容纳在所述电绝缘框架中，每个半桥电路包括一个或多个高侧功率半导体管芯以及一个或多个低侧功率半导体管芯；第一结构化的金属框架，所述第一结构化的金属框架嵌入所述电绝缘框架中，并且电连接到每个半桥电路的所述一个或多个高侧功率半导体管芯的漏极或集电极端子；第二结构化的金属框架，所述第二结构化的金属框架嵌入所述电绝缘框架中，并且电连接到每个半桥电路的所述一个或多个低侧功率半导体管芯的源极或发射极端子；以及所述电绝缘框架中的多个第一开口，所述多个第一开口暴露所述第一结构化的金属框架的位于所述电绝缘框架的相对的第一侧壁和第二侧壁处以及位于所述半桥电路中的相邻的半桥电路之间的部分或所述第二结构化的金属框架的位于所述电绝缘框架的相对的第一侧壁和第二侧壁处以及位于所述半桥电路中的相邻的半桥电路之间的部分。
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百度查询： 英飞凌科技股份有限公司 功率半导体模块和功率电子装置
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