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申请/专利权人：住友电气工业株式会社
摘要：本公开涉及晶体管和晶体管的制造方法。晶体管具备半导体层叠部、源电极、漏电极、栅电极、第一多晶硅膜、电介质层、第一插塞以及第一布线。源电极和漏电极设于半导体层叠部上。栅电极在半导体层叠部上设于源电极与漏电极之间。第一多晶硅膜设于第一电极上，该第一电极是栅电极、源电极以及漏电极中的一个。电介质层设于半导体层叠部上，覆盖栅电极、源电极、漏电极以及第一多晶硅膜。电介质层具有形成于第一多晶硅膜上的第一开口。第一插塞包含钨，埋入于第一开口并与第一多晶硅膜相接。第一布线设于电介质层上，与第一插塞相接。
主权项：1.一种晶体管，具备：半导体层叠部；源电极和漏电极以及栅电极，所述源电极和所述漏电极设于所述半导体层叠部上，所述栅电极在所述半导体层叠部上设于所述源电极与所述漏电极之间；第一多晶硅膜，设于第一电极上，该第一电极是所述栅电极、所述源电极以及所述漏电极中的一个；电介质层，设于所述半导体层叠部上，覆盖所述栅电极、所述源电极、所述漏电极以及所述第一多晶硅膜，并且具有形成于所述第一多晶硅膜上的第一开口；第一插塞，包含钨，埋入于所述第一开口并与所述第一多晶硅膜相接；以及第一布线，设于所述电介质层上，与所述第一插塞相接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 住友电气工业株式会社 晶体管和晶体管的制造方法
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