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申请/专利权人：ASMIP私人控股有限公司
摘要：公开了在表面上沉积氮化硅之前预处理表面的方法和系统。示例性方法包括在减少用于沉积氮化硅的培养时间的条件下，通过将表面暴露于由包含氮和氢的一种或多种气体形成的活化物质来预处理表面。
主权项：1.一种在衬底表面上形成氮化硅的方法，该方法包括以下步骤：在反应室内提供衬底；在衬底表面上和反应室内进行预处理步骤，该预处理步骤包括：向反应室提供包含氮和氢的一种或多种气体；并且由包含氮和氢的一种或多种气体形成活化物质，并使用该活化物质形成经处理表面；以及在经处理表面上沉积氮化硅，其中，在执行预处理步骤的步骤期间反应室内的压力大于或等于3000Pa。
全文数据：
权利要求：
百度查询： ASMIP私人控股有限公司 形成氮化硅的方法及执行该方法的系统
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