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具有混合光电二极管结构的图像传感器 

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申请/专利权人:三星电子株式会社;韩国科学技术院

摘要:提供了一种图像传感器,所述图像传感器包括:半导体基底;二维材料层,位于半导体基底的上表面上,并且包括过渡金属二硫属化物;顶部吸收件,位于二维材料层的上表面上,并且包括石墨烯;以及多个等离体子纳米颗粒,位于顶部吸收件的上表面上,其中,半导体基底包括掺杂有p型杂质的硅,二维材料层具有n型导电性,二维材料层和半导体基底形成pn二极管。

主权项:1.一种图像传感器,所述图像传感器包括:半导体基底;二维材料层,位于半导体基底的上表面上,并且包括过渡金属二硫属化物;顶部吸收件,位于二维材料层的上表面上,并且包括石墨烯;以及多个等离体子纳米颗粒,位于顶部吸收件的上表面上,其中,半导体基底包括掺杂有p型杂质的硅,二维材料层具有n型导电性,二维材料层和半导体基底形成pn二极管。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 三星电子株式会社 韩国科学技术院 具有混合光电二极管结构的图像传感器

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