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申请/专利权人：IMEC非营利协会
摘要：本公开涉及一种互补场效应晶体管CFET单元10。该CFET单元10包括：布置在该CFET单元10的第一层级中的第一晶体管结构11；布置在该CFET单元10的在第一层级上方的第二层级中的第二晶体管结构12；形成在第二层级上方的第一金属层中并从上方连接到第一和第二晶体管结构11，12的一组顶部信号布线线路15；以及形成在第一层级下方的第二金属层中并从下方连接到第一晶体管结构11的至少一个底部信号布线线路16。本公开涉及一种制造CFET单元10的方法。
主权项：1.一种互补场效应晶体管CFET单元10，包括：布置在所述CFET单元10的第一层级中的第一晶体管结构11；布置在所述CFET单元10的在所述第一层级上方的第二层级中的第二晶体管结构12；形成在所述第二层级上方的第一金属层中并从上方连接到所述第一晶体管结构11和所述第二晶体管结构12的一组顶部信号布线线路15；以及形成在所述第一层级下方的第二金属层中并从下方连接到所述第一晶体管结构11的至少一个底部信号布线线路16。
全文数据：
权利要求：
百度查询： IMEC非营利协会 CFET单元和制造CFET单元电池的方法
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